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    Home»Gadgets»Samsung 3nm GAA 製程技術,良率僅50-60%未達70%目標,第二代更低至20%
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    Samsung 3nm GAA 製程技術,良率僅50-60%未達70%目標,第二代更低至20%

    2024-11-12By Peter Kwong
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    Samsung 率先推出嘅 3nm GAA 製程技術,但最近有報導指出,其晶片生產良率仍然未達理想。根據新聞網站 Naver 嘅消息,Samsung 原本對於其首兩代 3nm GAA 製程設定咗 70% 嘅良率目標,但而家睇落呢個目標似乎遙不可及。

    報導提到,首代 SF3E-3GAE 的良率大概係 50% 至 60%,雖然接近目標,但仍無法達到可以吸引商業的水平。良率不足成為 Samsung 吸引新客戶採用其 3nm GAA 技術嘅主要障礙之一,舉例來講,Qualcomm 已經決定將 Snapdragon 8 Elite 交由台積電生產,採用佢哋嘅 3nm N3E 架構。

    至於代號 SF3-3GAP 嘅第二代 3nm 製程,就更加唔樂觀,報導指出良率只有約 20%,遠遠低於最初設定目標嘅三分之一。

    如果 Samsung 在良率上無法取得進展,對於其 3nm 技術市場信心就會進一步下降,甚至有可能導致部分韓國客戶轉向使用台積電更成熟嘅 3nm 技術。由於面對 3nm GAA 技術嘅諸多挑戰,有傳言指 Samsung 已經開始將資源和人才逐步轉向即將推出嘅 2nm 節點技術。據聞,代號 Ulysses 嘅 Exynos 處理器正使用 SF2P 技術開發,預計會喺 2027 年應用喺 Galaxy S27 系列上。

    F3 GALA Gap On Samsung
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