韓国の半導体メモリ大手であるSK Hynix（エスケイ・ハイニックス）は、2024年第二四半期において、 generative AI チップセットで使用される高帯域幅メモリ技術に対する需要が持続していることから、過去最高の営業利益と売上高を計上しました。このような中、同社はアメリカにおける先進的なチップパッケージ工場の設立を計画しており、来年度第一四半期には着工する見込みです。
最新のデータによると、SK Hynixの第二四半期の売上高は22.23兆ウォン（約1兆6,170億円）に達し、前年同期比で35%以上の増加を記録しました。また、営業利益は9.21兆ウォンで、前年同期比で約69%の増加を示しています。一方、前四半期比でも売上高は26%、営業利益は24%の増加を見せています。
同社は「顧客の在庫水準が安定していることや新製品の発売が見込まれることから、2025年の残りの期間において急激な需要の変動は低い」と述べています。SK Hynixの強力な業績は、主に人工知能（AI）計算用のDRAMである高帯域幅メモリ（HBM）事業のおかげでもあります。
SK Hynixの代表取締役であるSong Hyun-jong（ソン・ヒョンジョン）は、AIメモリに対する需要は大手テクノロジー企業の積極的なAI投資によって引き続き成長する見込みであると、業績説明会でコメントしました。この投資はサーバー市場における需要の健全な成長をもたらし、一般用途のサーバーに対する需要も増加すると予想しています。
AIエージェントのさらなる発展に伴い、高性能メモリがさらに必要になるとソンは述べ、新たな需要はPCやスマートフォン市場でも高まると期待しています。さらに、政府や企業によるAI解決に向けた持続的な投資が、AIメモリ需要の新たな長期的な推進力となる見込みです。
2024年全体の売上に対してHBMの売上高を2倍にする見込みを持つSK Hynixは、Nvidia（エヌビディア）などのクライアントにHBMを供給しており、第二四半期の売上の77%を占めています。また、同社は2025年の資本支出が増加すると予想しており、2026年にHBM顧客を支えるための「積極的な投資」が必要であると述べています。以前の四半期において、SK HynixはCounterpoint Researchによると、グローバルDRAM市場においてSamsung Electronics（サムスン電子）を初めて追い越しました。
最新のCounterpoint Researchの報告によると、SK Hynixは第二四半期においてSamsungの合計DRAMおよびNAND収益と並んでおり、グローバルメモリ市場でのトップポジションを巡って競っています。NANDはストレージデバイスで一般的に使用されるフラッシュメモリの一種です。Samsungと米国のメモリメーカーであるMicron Technology（マイクロン・テクノロジー）は、HBM分野でSK Hynixに追いつこうとしていますが、アナリストたちはSK Hynixの優位性が短期間続くと予測しています。
The Futurum Groupの半導体、サプライチェーン、エマージングテクノロジーのリサーチディレクターであるRay Wang（レイ・ワン）は、「現在、SK HynixはHBM競争においてリーダーシップを維持していると考えています。サムスンやマイクロンの追撃があっても、この優位性は2025年末まで、そして2026年にかけても続くと予想しています。」と述べています。
